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使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC光伏逆變器!

西安傾佳電子有限公司

單價:面議
簡介:
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC光伏逆變器!-傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級傳統(tǒng)IGBT光伏逆變器,實現(xiàn)更高的光伏逆變器效率,更
企業(yè)品牌:
西安傾佳電子有限公司
起 訂 量:
1
供貨總量:
100
發(fā)貨期限:
自買家付款之日起 3 天內(nèi)發(fā)貨
所在地:
陜西 西安市
有效期至:
長期有效
最后更新:
2024-06-03 07:57
瀏覽次數(shù):
139
公司基本資料信息

 使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC光伏逆變器!-傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級傳統(tǒng)IGBT光伏逆變器,實現(xiàn)更高的光伏逆變器效率,更小的光伏逆變器體積重量!更低的光伏逆變器成本!
 
隨著銅價暴漲高燒不退,如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點,使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊,可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本(電感磁性元件,散熱系統(tǒng),整機重量),電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時代,未來已來!傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET!
 
傾佳電子(Changer Tech)致力于基本公司國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣!Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
 
 
基本公司SiC碳化硅MOSFET單管適用于光儲中的Boost、T型三電平、DCDC等高開關(guān)頻率拓撲。
 
組串式逆變器是基于模塊化概念基礎(chǔ)上的,每個光伏組串通過一個逆變器,多塊電池板組成一個組串,接入小功率單相逆變器在直流端具有最大功率峰值跟蹤,在交流端并聯(lián)并網(wǎng),已成為現(xiàn)在全球市場上最流行的逆變器。拓撲結(jié)構(gòu)采用DC-DC-BOOST升壓(MPPT)和DC-AC逆變兩級電力電子器件變換,防護等級一般為IP65。體積較小,可室外壁掛式安裝。
組串光伏逆變器有多路MPPT,每路MPPT器件選型為基本™B2M040120Z或B3M040120Z+基本™碳化硅肖特基二極管B2D30120HC1,B3D30120HC,B2D30120H1,B3D30120H.
MPPT選擇基本™SiC碳化硅功率器件方案的邏輯:
組串式逆變器早期舊方案中的開關(guān)管需要用兩顆40A/1200V IGBT并聯(lián)或者75A/1200V IGBT,升壓二極管是1200V 60A Si FRD,開關(guān)管的開關(guān)頻率只有16kHz~18kHz
而新方案選用基本™SiC碳化硅MOSFET開關(guān)B2M040120Z或B3M040120Z頻率為40-60kHz,大幅度減小了電感等磁性元件的體積和成本,并且基本™SiC碳化硅功率器件的殼溫低于IGBT方案,提升了系統(tǒng)可靠性。
 
基本公司SiC碳化硅MOSFET組串式逆變器DC-AC中的應用 SiC MOSFET在三電平并網(wǎng)逆變器中的應用
 
基本公司SiC碳化硅MOSFET單管B2M040120Z或B3M040120Z適用于組串式逆變器DC-AC中T型三電平的豎管。逆變器開關(guān)頻率通常較高,同時其工作原理決定了開關(guān)損耗占比較大,所以豎管需要具有低的開關(guān)損耗;基本公司B2M040120Z或B3M040120Z碳化硅 (SiC) MOSFET出色的材料特性使得能夠設計快速開關(guān)單極型器件,替代升級雙極型 IGBT  (絕緣柵雙極晶體管)?;竟綛2M040120Z或B3M040120Z碳化硅 (SiC) MOSFET替代IGBT可以得到更高的效率、更高的開關(guān)頻率、更少的散熱和節(jié)省空間——這些好處反過來也降低了總體系統(tǒng)成本。T型三電平橫管可以使用基本公司混合碳化硅器件。
通過使用基本公司SiC碳化硅MOSFET單管可以很容易地從光伏三電平并網(wǎng)逆變器整體效率的提高中計算出能源使用和成本節(jié)約;與IGBT單管解決方案相比,基本公司SiC碳化硅MOSFET單管可以將儲能變流器PCS或者光伏三電平并網(wǎng)逆變器的損耗減半,并提供通常2%的額外能量和運行時間?;竟維iC碳化硅MOSFET單管B2M040120Z或B3M040120Z的單位成本已經(jīng)接近IGBT單管。因為基本公司SiC碳化硅MOSFET單管更高的開關(guān)頻率允許光伏三電平并網(wǎng)逆變器使用更小、更便宜的磁性元件和散熱器,所以在系統(tǒng)層面上,光伏三電平并網(wǎng)逆變器硬件成本會大大降低。
 
IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展,但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現(xiàn)半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗,從而提高開關(guān)頻率。進一步的,可以優(yōu)化濾波器組件,相應的損耗會下降,從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊,與同樣封裝的Si IGBT模塊相比,功率損耗可以降低約70%左右,可以將開關(guān)頻率提5倍(實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化),同時保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。
 
為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢,同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟效益,一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉(zhuǎn)換應用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術(shù)到達發(fā)展瓶頸,加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降,使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應用的主流趨勢。
 
 
傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷基本™(BASiC Semiconductor)碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本™單管SiC碳化硅MOSFET,BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本™I型三電平IGBT模塊,BASiC基本™T型SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本™混合SiC-IGBT單管,BASiC基本™混合SiC-IGBT模塊,碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350,單通道隔離驅(qū)動芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動芯片(帶VCE保護)BTD3011,BASiC基本™混合SiC-IGBT三電平模塊應用于光伏逆變器,雙向AC-DC電源,戶用光伏逆變器,戶用光儲一體機,儲能變流器,儲能PCS,雙向LLC電源模塊,儲能PCS-Buck-Boost電路,光儲一體機,PCS雙向變流器,三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲等新能源領(lǐng)域。在光伏逆變器、光儲一體機、儲能變流器PCS、OBC車載充電器,熱管理電動壓縮機驅(qū)動器,射頻電源,PET電力電子變壓器,氫燃料空壓機驅(qū)動,大功率工業(yè)電源,工商業(yè)儲能變流器,變頻器,變槳伺服驅(qū)動輔助電源,高頻逆變焊機,高頻伺服驅(qū)動,AI服務器電源,算力電源,數(shù)據(jù)中心電源,機房UPS等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作,傾佳電子(Changer Tech)全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展!
 
傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET,氮化鎵GaN,驅(qū)動IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務中國工業(yè)電源,電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。在新型能源體系的發(fā)展趨勢場景下,融合數(shù)字技術(shù)、電力電子技術(shù)、熱管理技術(shù)和儲能管理技術(shù),以實現(xiàn)發(fā)電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化,以及“源、網(wǎng)、荷、儲、車”的協(xié)同發(fā)展。傾佳電子(Changer Tech)-以技術(shù)創(chuàng)新為導向,將不斷創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品,堅定不移與產(chǎn)業(yè)和合作伙伴攜手,積極參與數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)生態(tài),為客戶提供高品質(zhì)汽車智能互聯(lián)連接器與線束,新能源汽車連接器,新能源汽車高壓連接器與線束,直流充電座,耐高壓連接器&插座,創(chuàng)新型車規(guī)級互聯(lián)產(chǎn)品,包括線對板、板對板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器,涵蓋2級充電站和可在30分鐘內(nèi)為EV電池充滿電的3級超快速充電站的高能效電源連接器,用于地下無線充電的IP67級密封連接器。以及以技術(shù)創(chuàng)新為導向的各類功率半導體器件:車規(guī)碳化硅(SiC)MOSFET,大容量RC-IGBT模塊,碳化硅(SiC)MOSFET模塊,IGBT模塊,國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET,IPM模塊,IGBT單管,混合IGBT單管,三電平IGBT模塊,混合IGBT模塊,光伏MPPT碳化硅MOSFET,伺服驅(qū)動SiC碳化硅MOSFET,逆變焊機國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET,OBC車載SiC碳化硅MOSFET,儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊,充電樁電源模塊碳化硅MOSFET,國產(chǎn)氮化鎵GaN,隔離驅(qū)動IC等產(chǎn)品,傾佳電子(Changer Tech)全面服務于中國新能源汽車行業(yè),新能源汽車電控系統(tǒng),電力電子裝備,新能源汽車充電樁系統(tǒng),全液冷超充,高功率密度風冷充電模塊,液冷充電模塊,歐標充電樁,車載DCDC模塊,國網(wǎng)三統(tǒng)一充電模塊光儲變流器,分布式能源、虛擬電廠、智能充電網(wǎng)絡、V2X、綜合智慧能源、智能微電網(wǎng)智能光儲,智能組串式儲能等行業(yè)應用,傾佳電子(Changer Tech)為實現(xiàn)零碳發(fā)電、零碳數(shù)據(jù)中心、零碳網(wǎng)絡、零碳家庭等新能源發(fā)展目標奮斗,從而為實現(xiàn)一個零碳地球做出貢獻,邁向數(shù)字能源新時代!Changer Tech strives to achieve new energy development goals such as zero-carbon power generation, zero-carbon data centers, zero-carbon networks, and zero-carbon homes, thereby contributing to the realization of a zero-carbon earth and moving towards a new era of digital energy!
 
 

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